术语与缩写¶
本页用于查词，不替代各章第一次出现时的定义。英文缩写先读全称，再回到它对应的物理量、单位和测量条件。
| 缩写 / 符号 | 英文全称 | 中文与使用要点 |
|---|---|---|
| AC / DC | alternating current / direct current | 交流 / 直流；AC 小信号分析不表示真实直流电源被导线短接 |
| KCL / KVL | Kirchhoff's current / voltage law | 基尔霍夫电流 / 电压定律；先统一参考方向，再写节点电流代数和或回路电压代数和 |
| A / K | anode / cathode | 二极管阳极 / 阴极；先定义 \(v_D=v_A-v_K\) |
| BJT | bipolar junction transistor | 双极型晶体管 |
| MOSFET | metal-oxide-semiconductor field-effect transistor | 金属—氧化物—半导体场效应晶体管 |
| B / C / E | base / collector / emitter | BJT 的基极 / 集电极 / 发射极 |
| G / D / S / B | gate / drain / source / body | MOSFET 的栅极 / 漏极 / 源极 / 体端；离散管的体端常在器件内部与源极相连，但不能无条件假设 |
| CE / CB / CC | common emitter / base / collector | 共射 / 共基 / 共集 |
| CS / CG / CD | common source / gate / drain | 共源 / 共栅 / 共漏；共漏也称源极跟随器 |
| Q point | quiescent point | 静态工作点；无交流增量时的直流状态 |
| Thévenin / Norton | — | 戴维南 / 诺顿端口等效；只保证指定端口的 \(v\)–\(i\) 关系，不保留内部支路功率 |
| RMS | root mean square | 均方根 / 有效值；由平方平均后开方定义 |
| LTI | linear time-invariant | 线性时不变；相量和传递函数常用前提 |
| LP / HP | low-pass / high-pass | 低通 / 高通 |
| LHP / RHP | left / right half-plane | \(s\) 平面的左 / 右半平面 |
| pole / zero | — | 极点 / 零点；分别是传递函数分母 / 分子的根，极点决定自然模态，零点改变输入到输出的可见方式 |
| dB | decibel | 分贝；功率比用 \(10\log_{10}\)，幅值比在相同参考条件下用 \(20\log_{10}\) |
| GBW | gain-bandwidth product | 增益带宽积；单主极点近似下的闭环增益—带宽尺度 |
| SR | slew rate | 压摆率，输出最大变化速率，常用单位 \(\mathrm{V/\mu s}\) |
| CMRR | common-mode rejection ratio | 共模抑制比，常写 \(A_d/A_c\) 或其 dB 值 |
| PSRR | power-supply rejection ratio | 电源抑制比；数据手册定义和符号约定需核对 |
| SOA | safe operating area | 安全工作区；同时约束器件电压、电流、时间与温度 |
| VAS | voltage amplification stage | 电压放大级；集成运放内部主要高增益节点常位于此级 |
| PM / GM | phase margin / gain margin | 相位裕度 / 增益裕度；必须连同环路断开定义和频率一起解释 |
| \(A_0\) | open-loop DC gain | 运放低频开环增益 |
| \(A_v\) | voltage gain | 电压增益；必须写清端点，例如 \(v_o/v_i\)、\(v_L/v_s\) 并不相同 |
| \(T=A\beta_f\) | loop gain | 环路增益；这里的反馈系数写作 \(\beta_f\)，避免与 BJT 电流增益 \(\beta\) 混淆 |
| \(V_T\) | thermal voltage | 热电压 \(kT/q\)；室温约 \(25.9\ \mathrm{mV}\)，不是晶体管阈值电压 |
| \(\alpha,\beta\) | BJT current gains | BJT 共基 / 共射电流增益；\(\beta\) 会随器件、偏置和温度变化，不是精密常数 |
| \(g_m\) | transconductance | 跨导，输出电流增量与控制电压增量之比，单位 S |
| \(r_\pi,r_e\) | BJT small-signal resistances | BJT 混合 π 输入电阻与 T 模型发射结动态电阻；数值和放置位置不能互换 |
| \(r_o\) | small-signal output resistance | 器件小信号输出电阻；来自 Early 效应或沟道长度调制等非理想效应 |
| \(V_A,\lambda\) | Early voltage / channel-length modulation | BJT Early 电压 / MOS 沟道长度调制系数；常用来估算 \(r_o\) |
| \(V_{TH},V_{OV}\) | threshold / overdrive voltage | MOS 阈值电压 / 过驱动电压；\(V_{OV}=V_{GS}-V_{TH}\)，且必须与 \(V_{DS}\) 一起判工作区 |
| \(R_{in},R_{out}\) | input / output resistance | 输入 / 输出电阻；必须说明测试端口和独立源置零方式 |
| \(\tau\) | time constant | 时间常数；一阶 RC 中 \(\tau=RC\)，控制指数响应的快慢 |
| \(\omega_c,f_c\) | corner angular frequency / frequency | 角频率 / 普通频率形式的转折频率，满足 \(\omega_c=2\pi f_c\) |
| \(j\omega\) | sinusoidal steady-state point | 相量计算所在的虚轴频率点；\(j^2=-1\)，只描述稳态正弦，不包含启动初值 |
| \(s=\sigma+j\omega\) | Laplace complex frequency | 拉普拉斯复频率；覆盖整个 \(s\) 平面，不能与单一的 \(j\omega\) 直接混同 |
| \(H(s)\) | transfer function | 零初始条件下输出与输入的拉普拉斯域比值 |
| \(V_{OH},V_{OL}\) | output high / low limit | 运放或比较器可达到的高 / 低输出电平；通常不等于电源轨本身 |
| dropout | — | 稳压器维持调节所需的最小输入—输出余量；滤波谷值低于该余量时会失去稳压 |
| ripple | — | 纹波；整流滤波后叠加在直流量上的周期变化，需说明峰峰值、RMS 或其他测量定义 |