第 3 周：从 Q 点到可用的基本放大器¶
本周把器件模型装入真实信号链：先求 DC，再画中频小信号图，最后区分级内增益、源衰减和负载衰减。Day 15–20 各 45 分钟，Day 21 关卡 50 分钟；周预算 320 分钟。
冲刺必会
任何增益公式都必须绑定拓扑、输出位置、旁路状态、源内阻和负载。只报一个“\(-g_mR\)”而不说条件，面试中视为不完整。
本周学习节奏¶
把画小信号图当作固定程序，不在不同资料间反复搜“万能公式”。耦合电容的低频作用集中到 Day 19 统一理解；Day 21 关卡替代新课和额外周测。
定位资料规则： 所有链接均是长讲义的查找坐标，不代表整节通读。27 分钟核心时段只读取当天明确列出的 2–4 个小节、图或公式块；每读一块就重画或重推，未点名内容放入深入轨。
Day 15 放大指标、端口测试与 Q 点¶
预计用时：45 分钟
目标： 能区分电压/电流/功率增益、级内/总增益，使用测试源定义 \(R_{in},R_{out}\)，并解释 Q 点与摆幅的关系。
前置知识： Day 10–13 的偏置、负载线和小信号模型。
定位资料（非整节通读）： 只查2.2 端口测试源图、2.3 四种电压传递和3.2 Q 点/负载线图；其余不读。
交互实验： 在晶体管放大器信号链中先预测三个增益因子和较小摆幅侧，只改负载或 Q 点之一，再解释增益变化与削顶是否来自同一原因。
5 分钟回忆： 完成 Day 8 的 D+7：标出二极管波形切换点；完成 Day 12 的 D+3：判断一个源极不接地 NMOS 的区域；重做 Day 14 最低分判区。
核心学习（27 分钟）：
- 明确 \(A_v=v_o/v_i\) 的两个测量节点；系统总增益还含 \(R_s\) 与 \(R_{in}\) 的输入分压、\(R_{out}\) 与 \(R_L\) 的输出加载。
- 求 \(R_{in}\) 时从输入端加测试量并取 \(v_t/i_t\)；求 \(R_{out}\) 时令独立信号源为零、保留受控源，从输出端加测试源。
- DC 决定 Q 点和摆幅余量，AC 小信号只描述 Q 点附近斜率；偏置不居中会造成非对称削顶。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“电压增益很大是否等于一个放大器一定好用？”至少提到端口、带宽或摆幅之一。
电路题（4 分钟）： 电压放大级 \(A_{v0}=-20,R_{in}=10\ \mathrm{k\Omega},R_{out}=1\ \mathrm{k\Omega}\)，由 \(R_s=10\ \mathrm{k\Omega}\) 源驱动 \(R_L=1\ \mathrm{k\Omega}\)。求 \(v_L/v_s\)。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把 \(R_L\) 增大十倍，级内开路增益、输出加载和总增益各如何变化？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 16）写完整总增益链；D+3（Day 18）用测试源定义两个端口电阻；D+7（Day 22）解释 Q 点偏移怎样造成削顶。
Day 16 共射放大器：反相与发射极退化¶
预计用时：45 分钟
目标： 能从共射（common-emitter, CE）小信号图推导增益，区分旁路与未旁路 \(R_E\)，并纳入源和负载。
前置知识： Day 11 的 BJT 混合 \(\pi\) 模型，Day 15 的增益与端口概念。
定位资料（非整节通读）： 在共射 CE只查 4.2 Q 点/参数、4.3 旁路增益图、4.4 未旁路推导和 4.5 总增益链；不读 \(r_o\) 深入边界。
5 分钟回忆： 完成 Day 9 的 D+7：用两个 PN 结解释 BJT 饱和；完成 Day 13 的 D+3：比较同电流 BJT/MOS 跨导。
核心学习（27 分钟）：
- 先完成 DC Q 点；中频时耦合/大旁路电容近似短路、DC 电源为交流地，负载成为 \(R_C\parallel R_L\)。
- 发射极交流接地且忽略 \(r_o\) 时，\(v_o=-g_mv_{be}(R_C\parallel R_L)\)，负号来自 \(i_c\) 增大使集电极电压下降。
- 未旁路 \(R_E\) 引入发射极退化，近似 \(A_v\approx-(R_C\parallel R_L)/R_E\) 仅在 \(g_mR_E\) 足够大等条件下成立；同时线性和偏置稳定性改善。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒解释“共射为什么反相，发射极电阻为什么既降增益又改善稳定性”。
电路题（4 分钟）： \(g_m=40\ \mathrm{mS},R_C=3\ \mathrm{k\Omega},R_L=3\ \mathrm{k\Omega}\)，发射极被充分旁路且忽略 \(r_o\)。求 \(v_o/v_{be}\)。
改变一个条件题（2 分钟）： 只移除发射极旁路电容，DC Q 点、中频增益、输入电阻和线性度分别怎样变？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 17）从小信号图推一遍 CE 负号；D+3（Day 19）加入源内阻和负载求总增益；D+7（Day 23）比较旁路与未旁路 CE。
Day 17 射极跟随器与共基：缓冲和低阻输入¶
预计用时：45 分钟
目标： 能说明共集（射极跟随器）电压增益近 1 却有用，能识别共基的低输入电阻与同相电流传输。
前置知识： Day 11 的 \(r_\pi,g_m\)，Day 15 的端口电阻，Day 16 的共射。
定位资料（非整节通读）： 在共集 CC 与共基 CB只查 5.2 CC 电路/模型、5.3 CB 电路/推导和 5.4 三组态比较表；其余不读。
5 分钟回忆： 完成 Day 10 的 D+7：用负载线解释截止/饱和削顶；完成 Day 14 的 D+3：换参数求 Q 点与 \(g_m\)。
核心学习（27 分钟）：
- 射极跟随器输出取发射极，\(A_v\) 同相且略小于 1；基极看入电阻约为 \(r_\pi+(\beta+1)R_E'\)，可把低阻负载“反射”为较高输入电阻。
- 输出电阻需从输出端加测试源推导，受信号源电阻经 \(\beta+1\) 折算影响；不要只背 \(1/g_m\)。
- 共基的基极为交流公共端，输入取发射极、输出取集电极；\(R_{in}\approx1/g_m\)，电压同相，适合低阻源和宽带直觉。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“电压增益接近 1 的射极跟随器为什么仍能改善系统性能？”
电路题（4 分钟）： \(\beta=100,r_\pi=2.5\ \mathrm{k\Omega}\)，发射极交流负载 \(R_E'=1\ \mathrm{k\Omega}\)。估算从基极看的输入电阻和基极到发射极增益。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把射极负载减小十倍，输入电阻、电压增益与输出电流需求怎样变？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 18）画 CC/CB 端口位置；D+3（Day 20）做一次跟随器加载题；D+7（Day 24）用“源—缓冲—负载”解释阻抗变换。
Day 18 共源与源极跟随器¶
预计用时：45 分钟
目标： 能把 CE/CC 分析方法迁移到共源（common-source, CS）与源极跟随器，说明 MOS 高输入电阻和体效应边界。
前置知识： Day 13 的 MOS 小信号模型，Day 16–17 的拓扑分析。
定位资料（非整节通读）： 在MOS 三种基本组态只查 6.1 三张完整电路、6.2 CS/源跟随小信号图和 6.3 BJT 对照表；共栅长推导不做。
5 分钟回忆： 完成 Day 11 的 D+7：说明输入过大为何破坏线性；完成 Day 15 的 D+3：用测试源定义 \(R_{in},R_{out}\)。
核心学习（27 分钟）：
- 共源输出取漏极，忽略 \(r_o\) 时 \(A_v\approx-g_m(R_D\parallel R_L)\)；源极退化使增益下降而线性改善。
- 源极跟随器输出取源极，同相且增益小于 1；理想栅 DC 输入电流近零，但偏置电阻与寄生电容决定实际输入阻抗。
- 栅、源、衬底不等电位时体效应增加等效跨导通道，使跟随增益更低；高频还需考虑栅电容。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒比较共源与共射：先讲相同信号功能，再讲输入端和跨导差异。
电路题（4 分钟）： \(g_m=5\ \mathrm{mS},R_D=10\ \mathrm{k\Omega},R_L=10\ \mathrm{k\Omega}\)，忽略 \(r_o\)。求共源级 \(v_o/v_{gs}\)。
改变一个条件题（2 分钟）： 加入未旁路源极电阻后重新调整栅偏置，使 \(I_{DQ}\) 与 \(V_{DQ}\) 保持原值。此条件下判断增益绝对值、线性和输入 DC 电流；再分别说明向 \(V_{DD}\) 的上摆余量与向三极管区的下摆余量（源极 DC 电位升高）如何变化，不能只答“摆幅变大/变小”。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 19）默写 CS 与源跟随增益方向；D+3（Day 21）同尺度比较 CE/CS；D+7（Day 25）解释 MOS 输入阻抗的频率边界。
Day 19 耦合、旁路、加载与系统总增益¶
预计用时：45 分钟
目标： 能区分耦合与旁路电容，写出“源分压×级内增益×输出加载”总增益链，并说明低频失效。
前置知识： Day 4 的 RC、Day 15–18 的端口和基本放大级。
定位资料（非整节通读）： 在耦合、旁路与加载只查 7.2 源—级—负载总图、7.3 单电容低频边界和本节 30 秒回答；其余多极点拓展不读。
5 分钟回忆： 完成 Day 12 的 D+7：比较 BJT 与 MOS“饱和”；完成 Day 16 的 D+3：给 CE 加源阻和负载写总增益。
核心学习（27 分钟）：
- 耦合电容隔离相邻级 DC 偏置并传递 AC；旁路电容让某退化电阻在中频被交流旁路，两者不能只按位置死记。
- 写 \(v_L/v_s=(v_i/v_s)(v_o/v_i)(v_L/v_o)\)，分别对应输入分压、级内增益、输出加载，避免把开路增益直接当系统增益。
- 低频时 \(|X_C|\) 增大，耦合和旁路不再近似短路；每个电容与其看到的等效电阻形成拐点，多极点贡献会叠加。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“为什么放大器中频增益正常，但低频会下降？”
电路题（4 分钟）： \(R_s=1\ \mathrm{k\Omega},R_{in}=9\ \mathrm{k\Omega},A_{v0}=-20,R_{out}=1\ \mathrm{k\Omega},R_L=4\ \mathrm{k\Omega}\)，求中频 \(v_L/v_s\)。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把输入耦合电容减小十倍，对 DC Q 点、中频增益和低频截止趋势分别有什么影响？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 20）默写三段总增益；D+3（Day 22）从一个耦合电容估算拐点；D+7（Day 26）口述低频多极点来源。
Day 20 削顶、非线性与故障诊断¶
预计用时：45 分钟
目标： 能从输出波形判断截止、饱和/三极管区、重载或耦合故障，并提出可证伪的节点测量。
前置知识： Day 10 的负载线，Day 15–19 的 Q 点、组态与耦合加载。
定位资料（非整节通读）： 在失真与故障诊断只查 8.2 削顶波形、8.3 波形—状态—验证表和 8.4 四步检查；不浏览章末其他题。
5 分钟回忆： 完成 Day 13 的 D+7：解释 \(r_o\) 来源与趋势；完成 Day 17 的 D+3：做跟随器加载判断。
核心学习（27 分钟）：
- 诊断顺序固定为“描述波形→映射输出节点上下边界→猜器件状态→测 DC 节点证伪”，不从一个波形直接宣布元件损坏。
- CE/CS 反相，因此输入增大造成的输出下沿/上沿削顶要结合参考方向和电源轨判断；Q 点偏置决定哪一侧先撞界。
- 区分幅度过大造成的非线性、负载过重造成的增益/摆幅下降、耦合或旁路电容开短路造成的频率/偏置异常。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒给出“看到单边削顶后，你会怎样定位原因”的最小诊断链。
电路题（4 分钟）： 一个 CE 级输出静态为 \(6\ \mathrm V\)，电源 \(12\ \mathrm V\)；正弦输出向下只能到约 \(0.2\ \mathrm V\)、向上接近 \(12\ \mathrm V\)。若下沿先变平，指出对应的晶体管状态和验证节点。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把负载电阻减小，增益、输出电流和削顶风险如何变化？怎样与 Q 点错误区分？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 21）写四步诊断链；D+3（Day 23）诊断一个旁路电容开路故障；D+7（Day 27）用 90 秒解释单边削顶。
Day 21 第三关卡：基本放大器与系统信号链¶
预计用时：50 分钟
目标： 从给定 Q 点与小信号模型分析 CE/CC/CB/CS/源跟随，并把端口加载、耦合和失真纳入同一证据链。
前置知识： Day 15–20，以及 Week 2 的判区与小信号参数。
定位资料（非整节通读）： 关卡前不读教材；评分后的 5 分钟只查章末检查表中对应步骤和常见错误的一行。
5 分钟回忆： 完成 Day 14 的 D+7：口述“判区→Q 点→参数→模型”；完成 Day 18 的 D+3：比较 CE 与 CS 的增益和端口。
核心闭卷题单（27 分钟，90 分）：
- 0–9 分钟，25 分。 电压级 \(A_{v0}=-20,R_{in}=10\ \mathrm{k\Omega},R_{out}=1\ \mathrm{k\Omega}\)，由 \(R_s=10\ \mathrm{k\Omega}\) 驱动 \(R_L=1\ \mathrm{k\Omega}\)：求输入分压、输出加载和总电压增益（15 分）；再分别写测量 \(R_{in}\)、\(R_{out}\) 的测试源步骤（10 分）。
- 9–18 分钟，35 分。 （a）CE 有 \(g_m=40\ \mathrm{mS},R_C\parallel R_L=1.5\ \mathrm{k\Omega}\)：求 \(v_o/v_{be}\) 并解释相位（10 分）。（b）表格填 CE/CC/CB 的相位、典型输入电阻等级和主要用途（9 分）。（c）CS 有 \(g_m=5\ \mathrm{mS},R_D\parallel R_L=5\ \mathrm{k\Omega}\)：求电压增益（8 分）。（d）各用一句话说明射极/源极跟随器为何能承担缓冲作用（8 分）。
- 18–27 分钟，30 分。 （a）写同一放大器的 DC、AC 两次等效规则，并说明 Q 点偏置与单边削顶的关系（10 分）。（b）只把输入耦合电容减小十倍，分别判断 DC Q 点、中频增益和低频拐点并给理由（10 分）。（c）看到 CE 输出下沿削顶，按“描述—状态—测量—证伪”写四步，至少选择两个 DC 节点测量（10 分）。
本关卡总分严格为：核心题单 90 + 下方口述 4 + 电路 4 + 改变条件 2 = 100。
口述题（4 分钟，计入关卡）： 90 秒比较 CE、射极跟随器和 CS，包含相位、增益、输入/输出阻抗与用途。满分 4 分。
电路题（4 分钟，计入关卡）： \(g_m=40\ \mathrm{mS},R_C=3\ \mathrm{k\Omega},R_L=3\ \mathrm{k\Omega}\) 的旁路 CE，由 \(R_s=5\ \mathrm{k\Omega}\) 驱动，级输入电阻 \(5\ \mathrm{k\Omega}\)。忽略 \(r_o\)，求 \(v_L/v_s\)。满分 4 分。
改变一个条件题（2 分钟，计入关卡）： 只移除旁路电容，列出 DC Q 点、中频增益、输入电阻、线性度和低频响应的变化或不变项。满分 2 分。
交卷后展开：标准答案与评分点（交卷前禁止打开）
核心题 1（25 分）： 输入分压 \(R_{in}/(R_s+R_{in})=0.5\)，输出加载 \(R_L/(R_{out}+R_L)=0.5\)，故 \(v_L/v_s=0.5(-20)0.5=-5\)，三项各 5 分。测 \(R_{in}\) 时输入端加测试源并取 \(v_t/i_t\)；测 \(R_{out}\) 时令独立信号源为零、保留受控源，再从输出端加测试源。两套步骤各 5 分。
核心题 2（35 分）： （a）CE 为 \(-g_m(R_C\parallel R_L)=-60\)；集电流增大使集电极电压下降，所以反相。数值 6、解释 4 分。（b）CE：反相/输入中等/电压放大；CC：同相/输入高/缓冲驱动；CB：同相/输入低/低阻源或宽带。九格各 1 分。（c）CS 为 \(-g_m(R_D\parallel R_L)=-25\)，式与值各 4 分。（d）两种跟随器虽电压增益近 1，却以较高输入、较低输出阻抗隔离源和负载；每种器件的完整说明各 4 分。
核心题 3（30 分）： （a）DC 时耦合/旁路电容开路，AC 中频时电源为交流地、相关大电容近短路；Q 点离哪侧边界更近，该侧对应输出先削顶。规则 6、削顶关系 4 分。（b）耦合电容变小不改 DC Q，中频近似仍不变，但由 \(f_L\propto1/C\) 可知相应低频拐点升高；DC 判断 3、中频判断 3、低频判断与理由 4 分。（c）下沿变平先描述波形，再假设 BJT 接近饱和，测 \(V_C,V_B,V_E\) 中至少两个以检查两结/余量，并用结果证伪其他原因。四步共 8、测量点 2 分。
口述（4 分）： 相位、增益、输入/输出阻抗、用途各 1 分。
电路（4 分）： \(R_C\parallel R_L=1.5\ \mathrm{k\Omega}\)、级内增益 \(-60\)、输入分压 \(0.5\)、总增益 \(-30\)，各 1 分。
改变条件（2 分）： 旁路电容不参与 DC，故 Q 点不变 1 分；中频增益绝对值下降、输入电阻和线性提高、该旁路电容形成的低频转折消失，合计 1 分。
评分与补救（5 分钟）： 80–100 分进入运放；60–79 分按“拓扑识别→小信号图→级内增益→端口加载→边界”修首个断点；低于 60 分用 Day 22 的深入时间重画三张基本组态图。若把开路增益当总增益、漏画负载或无工作区检查，对应题最高一半分。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 22）重做最低分拓扑；D+3（Day 24）换 BJT/MOS 做同功能比较；D+7（Day 28）在第四关卡用一张图串起 DC 与 AC。
第三周关卡出口¶
你应能从“电路原图”依次得到 DC 等效、小信号等效、级内增益和系统总增益，并能从异常波形反推状态。如果只能识别公式而不能重画小信号图，把该组态标为未过关。