第 4 周：运放、反馈、系统电路与面试整合

本周前六天完成运放与反馈主线，Day 27–28 串联系统级电路并过第四关卡，Day 29–30 完成两轮模拟面试。Day 22–27 各 45 分钟，Day 28 为 55 分钟，Day 29–30 各 60 分钟；周预算 445 分钟，全月累计 1405 分钟（约 23.42 小时）。

冲刺必会

“虚短、虚断”是负反馈线性工作下的近似结论，不是运放天生定律。每道运放题先判反馈极性和输出是否可能在线性范围，再列 KCL。

本周学习节奏

• 这是模电最长一周，但 Day 29–30 的 60 分钟包含复习、口试与纠错，不再叠加教材阅读。
• 模电 P2 内容一律不以压缩睡眠为代价；先保证运放状态判定、反馈稳定性、功放和电源四条 P0 主线。
• 若临时少一天，把 Day 27 的 P0 合并到 Day 28，不能删 Day 29–30 的出声模拟；最终仍按错题证据定向复习。

定位资料规则： 链接只标出长讲义中的查找位置，不是整节阅读量。普通日 27 分钟、Day 28 的 14 分钟新学习只查看当天精确点名的 2–4 个小节、图、方程或回答块；未点名内容全部属于深入轨。模拟日只从点名回答块抽题，不重新阅读章节。

Day 22　运放开环模型、虚断与虚短

预计用时：45 分钟

目标： 能从 \(v_o=A(v_+-v_-)\)、输入近似开路和电源轨出发，判断虚断/虚短何时成立与何时失效。

前置知识： Day 2 的 KCL/KVL、Day 15 的增益与饱和边界、Day 21 关卡结果。

定位资料（非整节通读）： 只查2.1 开环模型/电源轨图、3.1 虚断/虚短来源和 3.2 候选解状态判定；3.3 非理想只读失败模式列表。

5 分钟回忆： 完成 Day 15 的 D+7：解释 Q 点偏移与削顶；完成 Day 19 的 D+3：估算一个耦合电容拐点；重做 Day 21 最低分拓扑。

核心学习（27 分钟）：

1. “虚断”来自高输入电阻，表示 \(i_+\approx i_-\approx0\)；“虚短”来自大开环增益与有效负反馈，表示 \(v_+\approx v_-\)，两者理由不同。
2. 判定顺序：识别反馈极性→假设线性负反馈→用虚短虚断求候选输出→检查输出摆幅、输入共模、带宽和压摆率。
3. 无反馈、正反馈或输出撞轨时不能强行令 \(v_+=v_-\)；此时回到开环比较和饱和状态。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“虚短、虚断分别为什么成立？列出至少三种虚短失效情形”。

电路题（4 分钟）： 理想运放 \(v_+\) 接地，\(v_-\) 经电阻接一个正电压但没有输出反馈。判断能否用虚短，并说明输出趋向哪一电源轨。

改变一个条件题（2 分钟）： 只把输出通过电阻反馈到 \(v_-\)，候选线性状态为何可能自洽？还需检查什么？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 23）默写运放状态四步；D+3（Day 25）分析一个正反馈反例；D+7（Day 29）在模拟面试中解释虚短边界。

Day 23　反相、同相与电压跟随器

预计用时：45 分钟

目标： 能从 KCL 推导反相和同相闭环增益，说明电压跟随器的缓冲价值，并做非理想边界检查。

前置知识： Day 22 的线性状态判据和虚短虚断。

定位资料（非整节通读）： 只查4.2 反相 KCL 推导、5.1 同相反馈分压和 5.3 跟随器功能；有限开环增益长推导不做。

5 分钟回忆： 完成 Day 16 的 D+7：比较旁路与未旁路 CE；完成 Day 20 的 D+3：诊断旁路电容开路；完成 Day 22 的 D+1：写状态四步。

核心学习（27 分钟）：

1. 反相电路在 \(v_-\) 节点列 KCL，得 \(v_o/v_i=-R_f/R_{in}\)；“虚地”只指该节点电位近似 0，不是真地且不能吸收任意电流。
2. 同相电路由反馈分压 \(v_-=v_oR_g/(R_f+R_g)\) 与 \(v_+=v_i\) 得 \(1+R_f/R_g\)；跟随器是单位反馈特例。
3. 对候选输出检查电源轨、输出电流、输入共模范围、增益带宽积（gain-bandwidth product, GBW）和压摆率。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒比较反相、同相和跟随器的相位、闭环增益与输入电阻。

电路题（4 分钟）： 反相放大器 \(R_{in}=10\ \mathrm{k\Omega},R_f=100\ \mathrm{k\Omega},v_i=0.2\ \mathrm V\)，求 \(v_o\) 和两电阻电流，并检查 \(\pm12\ \mathrm V\) 供电下是否撞轨。

改变一个条件题（2 分钟）： 只把反馈电阻开路，原线性解为何失效，输出将主要由什么决定？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 24）从 KCL 推反相增益；D+3（Day 26）做一个同相放大器设计；D+7（Day 30）在模拟面试中比较三种电路。

Day 24　求和、差分、积分与比较

预计用时：45 分钟

目标： 能按节点 KCL 推导求和、差分和积分关系，区分线性运放与比较器，并识别正反馈滞回。

前置知识： Day 23 的基本负反馈电路、Day 4 的电容关系。

定位资料（非整节通读）： 只查6.1 求和器 KCL、7.1 差分器匹配式、8.1 积分器含初值关系和10.1 比较器状态表；微分器及施密特完整推导留到深入轨。

5 分钟回忆： 完成 Day 17 的 D+7：解释跟随器的阻抗变换；完成 Day 21 的 D+3：换器件比较同功能级；完成 Day 23 的 D+1：推导反相增益。

核心学习（27 分钟）：

1. 求和器在反相节点对各输入电阻分别写电流；差分放大器只有电阻比匹配时才能按目标比例抑制共模。
2. 积分器由 \(i_C=C\,\mathrm d(v_--v_o)/\mathrm dt\) 得积分关系，必须保留电容初值；实际电路需泄放路径避免 DC 漂移撞轨。
3. 比较器按 \(v_+\) 与 \(v_-\) 大小选择高/低饱和，不能使用虚短；正反馈施密特触发器用两个阈值抗噪。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“运放线性放大与比较器分析的第一步有何不同？”

电路题（4 分钟）： 反相求和器 \(R_f=10\ \mathrm{k\Omega}\)，两个输入均经 \(10\ \mathrm{k\Omega}\)，\(v_1=1\ \mathrm V,v_2=-0.5\ \mathrm V\)。求候选输出并写 KCL。

改变一个条件题（2 分钟）： 只把理想积分器反馈电容并联一个大电阻，DC 与较高频率下的行为分别怎样改变？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 25）画线性负反馈与比较器两种状态流程；D+3（Day 27）做一题电阻比失配的差分趋势；D+7（Day 31）安排到面试后一日，重画求和/积分/比较三电路。

Day 25　负反馈代数与四种组态

预计用时：45 分钟

目标： 能从 \(x_e=x_s-\beta x_o\) 推导闭环增益与灵敏度，并用“输出取样—输入混合”识别四种反馈组态。

前置知识： Day 15 的端口参数、Day 22–24 的运放负反馈实例。

定位资料（非整节通读）： 只查2.2 闭环增益方程、2.3 灵敏度式、4.1 两步识别法和 4.6 端口趋势表；四种拓扑长例不展开。

5 分钟回忆： 完成 Day 18 的 D+7：解释 MOS 输入阻抗的频率边界；完成 Day 22 的 D+3：分析一个正反馈反例；完成 Day 24 的 D+1：对比两种状态流程。

核心学习（27 分钟）：

1. 由 \(x_o=Ax_e\)、\(x_e=x_s-\beta x_o\) 得 \(A_f=A/(1+A\beta)\)，环路增益 \(T=A\beta\)；深度负反馈且稳定时 \(A_f\approx1/\beta\)。
2. 灵敏度 \(S_A^{A_f}=1/(1+T)\) 表明前向增益变化被压低，但反馈不能修复输出饱和、输入越界或环路外扰动。
3. 先看输出取样电压还是电流，再看输入串联比较还是并联求和；由此判断 \(R_{in},R_{out}\) 的趋势，而非死背名称。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“负反馈改善了什么、付出什么代价、又不能解决什么”。

电路题（4 分钟）： \(A=1000,\beta=0.01\)，求 \(A_f\) 与对 \(A\) 的灵敏度；再与近似 \(1/\beta\) 比较误差。

改变一个条件题（2 分钟）： 保持 \(\beta\) 不变，只让 \(A\) 下降一半，精确 \(A_f\) 怎样变？为什么闭环变化比例较小？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 26）无提示推闭环式；D+3（Day 28）识别两种实际反馈拓扑；D+7（Day 32）安排面试后第二日，用 90 秒回答反馈收益与边界。

Day 26　频率响应、Bode 图与稳定性直觉

预计用时：45 分钟

目标： 能画一阶 RC 幅频/相频渐近图，解释 \(-3\ \mathrm{dB}\)、带宽、环路交越和相位裕度的直觉。

前置知识： Day 4 的 RC 暂态，Day 19 的耦合电容，Day 25 的环路增益；还要能读懂 \(j\omega\)、复阻抗和 dB。若这三项是第一次见，先做下面的起步校准，不直接跳进稳定裕度。

起步校准（8 分钟，零基础必做）： 在频域工具章依次查“复数的模与相角”“相量为什么把微分变成乘 \(j\omega\)”“阻抗”“分贝”和“一阶 Bode 规则”。在纸上写出 \(|1+j|=\sqrt2\)、\(Z_C=1/(j\omega C)\)、\(20\log_{10}(1/\sqrt2)=-3.01\ \mathrm{dB}\)；三式都能解释后再继续。本工具章的拉普拉斯证明、复功率和高阶例题留到第二遍。

定位资料（非整节通读）： 起步校准通过后，只查5.1 一阶低通方程、5.3 \(-3\ \mathrm{dB}\)/斜率块、第 6 节时间—频率对照图和10.2 稳定裕度图；Miller 与补偿推导不读。

交互实验： 在Bode 与环路稳定性中先预测第二极点下移后 PM 的方向，只改第二极点，再用交越处相位和阶跃趋势核对。

5 分钟回忆： 完成 Day 19 的 D+7：口述低频多极点来源；完成 Day 23 的 D+3：设计一个同相增益；完成 Day 25 的 D+1：推导闭环增益。

核心学习（27 分钟）：

1. 一阶低通 \(H(j\omega)=1/(1+j\omega RC)\)，\(\omega_c=1/RC\)；在拐点幅度为低频值的 \(1/\sqrt2\)、即约 \(-3.01\ \mathrm{dB}\)，相位为 \(-45^\circ\)。
2. 每个左半平面一阶极点在远高于拐点时贡献约 \(-20\ \mathrm{dB/dec}\) 和 \(-90^\circ\)；时间常数越大，响应越慢且带宽越窄。
3. 在 \(|T|=1\) 的增益交越频率读取相位裕度；若相位接近 \(-180^\circ\)，原负反馈趋向正反馈，表现为振铃甚至振荡。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒解释“负反馈为什么有时也会导致振荡”，必须提到频率相关相位。

电路题（4 分钟）： \(R=10\ \mathrm{k\Omega},C=10\ \mathrm{nF}\) 的一阶低通，求 \(\tau,f_c\)，并给出 \(f=f_c\) 时幅度比和相位。

改变一个条件题（2 分钟）： 只把 \(C\) 加倍，阶跃上升速度、截止频率和同一绝对频率处相位滞后怎样变？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 27）画一阶低通 Bode 骨架；D+3（Day 29）在模拟面试中解释相位裕度；D+7（Day 33）安排面试后三日，把时间常数与带宽写成同一张卡。

Day 27　差分对与电流镜

预计用时：45 分钟

目标： 能定义差模、共模和共模抑制比（common-mode rejection ratio, CMRR），解释对称差分对与电流镜的作用、顺从电压和主要误差。

前置知识： Day 11/13 的小信号跨导，Day 25 的反馈与端口直觉。

定位资料（非整节通读）： 只查2.1 差模/共模变换、2.2 CMRR 定义、3.2 支路增量推导和4.3 顺从/误差表；MOS 映射与有源负载深入部分不读。

5 分钟回忆： 完成 Day 20 的 D+7：90 秒解释单边削顶；完成 Day 24 的 D+3：判断电阻失配对差分共模抑制的影响；完成 Day 26 的 D+1：画 Bode 骨架。

核心学习（27 分钟）：

1. \(v_{id}=v_1-v_2,v_{cm}=(v_1+v_2)/2\)，差分输出约定下 \(\mathrm{CMRR}=|A_d/A_c|\)；必须先说明输出取单端还是差分。
2. 理想对称差分对受差模驱动时尾电流在两支路间转向；共模同向变化主要被高输出电阻尾源抑制，匹配还会使差分输出抵消共同移动。
3. 电流镜复制参考电流并提供高输出电阻负载；输出必须保留顺从电压，误差来自基极/栅效应、有限 \(r_o\)、器件失配和温度。

口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“差分对为什么抑制共模？尾电流源和对称性分别起什么作用？”

电路题（4 分钟）： 对称 BJT 差分对尾电流 \(2\ \mathrm{mA}\)，静态平衡且忽略基极电流。求两支路静态电流；若小信号 \(v_{id}=10\ \mathrm{mV}\)、每管 \(g_m=40\ \mathrm{mS}\)，用线性近似求两支路电流增量方向和大小。

改变一个条件题（2 分钟）： 只让一侧集电电阻增大 5%，差模增益和差分输出共模抵消会受到什么影响？

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 28）默写差模/共模变换和镜像顺从条件；D+3（Day 30）把差分对接到运放输入级解释；D+7（Day 34）安排面试后四日，做一次 CMRR 与失配趋势题。

Day 28　功率放大、电源链与第四关卡

预计用时：55 分钟

目标： 掌握 A/B/AB 类、交越失真、B 类效率、电源整流滤波稳压主线，并用第四关卡串起 Day 22–28。

前置知识： Day 22–27；Day 8 的整流、Day 15 的功率/负载概念。

定位资料（非整节通读）： 14 分钟新学习限四个资料块：5.1 A/B/AB 对照表、5.4 理想 B 类效率证明结果、6.4 纹波式与边界，以及作为同一个比较块的7.1 齐纳并联稳压图/电流表与7.2 串联调整/dropout 图；其余系统细节留到深入轨。

交互实验： 在隔离低压整流—滤波—稳压中先用 \(I/(f_rC)\) 预测纹波，只改负载或电容之一，再用电容谷值与 dropout 余量解释稳压状态。

5 分钟回忆： 完成 Day 21 的 D+7：用一张图串起 DC 与 AC；完成 Day 25 的 D+3：识别两个反馈拓扑；完成 Day 27 的 D+1：写差模/共模变换。

核心学习与闭卷关卡（32 分钟）：

1. 0–14 分钟，新学习。 0–5 分钟根据定位资料独立补全 A/B/AB 的“导通角—静态功耗—失真—效率”表；5–10 分钟沿“隔离/变压—整流—滤波—稳压—负载”画电源链，并从电容一个放电周期的电荷守恒推出纹波关系；10–14 分钟并排重画齐纳并联与串联调整拓扑，列出各自必须检查的三个边界。市电侧只做原理分析，不进行带电搭建。14 分钟到时遮住笔记和定位资料，再开始闭卷题。
2. 14–20 分钟，闭卷题 A，25 分。 反相运放 \(R_{in}=10\ \mathrm{k\Omega},R_f=100\ \mathrm{k\Omega},v_i=0.2\ \mathrm V,\pm12\ \mathrm V\)：求候选输出并写虚短成立检查（10 分）；\(A=1000,\beta=0.01\)：求精确闭环增益和对 \(A\) 的灵敏度（10 分）；任选一种反馈组态，判断 \(R_{in},R_{out}\) 趋势（5 分）。
3. 20–26 分钟，闭卷题 B，25 分。 \(R=10\ \mathrm{k\Omega},C=10\ \mathrm{nF}\)：求时间常数、截止频率和拐点相位（10 分）；解释相位裕度过小与时域波形的关系（5 分）；\(2\ \mathrm{mA}\) 平衡差分对求静态支路电流，并各写尾源有限输出电阻、镜像顺从不足的一个后果（10 分）。
4. 26–32 分钟，闭卷题 C，40 分。 填 A/B/AB 的静态电流、交越失真、效率趋势（10 分）；推导理想 B 类最大效率并列两个理想假设（8 分）；桥式整流 \(f_r=100\ \mathrm{Hz},I_L=0.2\ \mathrm A,C=2200\ \mu\mathrm F\)，估算纹波并写近似边界（12 分）；画齐纳并联或串联调整框图，标限流/压差与器件耗散检查（10 分）。

第四关卡总分严格为：闭卷题 A/B/C 共 90 + 下方口述 4 + 电路 4 + 改变条件 2 = 100；前 14 分钟新学习不计分。

口述题（4 分钟，计入关卡）： 90 秒从交流输入讲到稳定直流输出，并说明滤波电容变大带来的收益与代价。满分 4 分。

电路题（4 分钟，计入关卡）： 桥式整流后 \(f_r=100\ \mathrm{Hz}\)，负载电流 \(0.2\ \mathrm A\)，\(C=2200\ \mu\mathrm F\)。估算纹波峰峰值并检查近似条件。满分 4 分。

改变一个条件题（2 分钟，计入关卡）： 只把 B 类推挽改为小静态偏置的 AB 类，交越失真、静态功耗、热稳定风险怎样变化？满分 2 分。

交卷后展开：标准答案与评分点（交卷前禁止打开）

闭卷题 A（25 分）： 反相候选 \(v_o=-(R_f/R_{in})v_i=-2\ \mathrm V\)；还需确认负反馈、电源摆幅、输入共模、输出电流和动态范围，候选值与检查各 5 分。\(A_f=A/(1+A\beta)=1000/11\approx90.9\)，\(S_A^{A_f}=1/(1+A\beta)=1/11\)，各 5 分。反馈组态示例：电压串联使 \(R_{in}\) 增大、\(R_{out}\) 减小；组态与两个趋势共 5 分，其他正确组态同样给分。

闭卷题 B（25 分）： \(\tau=RC=100\ \mu\mathrm s\)，\(f_c=1/(2\pi RC)\approx1.59\ \mathrm{kHz}\)，拐点相位 \(-45^\circ\)；三项分别 3、4、3 分。相位裕度过小意味着交越处更接近正反馈条件，闭环阶跃会振铃，严重时失稳，得 5 分。平衡时两支路各 \(1\ \mathrm{mA}\)；尾源有限 \(r_o\) 会让共模变化转成单端共模增益，失配时还会污染差分输出；镜像顺从不足会使镜管离开所需工作区、复制电流失真。静态 4、两个后果各 3 分。

闭卷题 C（40 分）： A 类静态电流大、导通整周期、线性好而效率低；B 类理想静态电流近零、各管半周期、交越明显而效率高；AB 介于两者。表格 10 分。理想互补 B 类有 \(P_L=V_p^2/(2R_L)\)、\(P_{DC}=2V_{CC}I_p/\pi\)；在 \(V_p=V_{CC},I_p=V_{CC}/R_L\) 时 \(\eta_{max}=\pi/4\)。推导结果 4、理想无压降/无静态电流等任两假设各 2 分。纹波 \(\Delta V_{pp}\approx I_L/(f_rC)=0.2/(100\times2200\mu)\approx0.91\ \mathrm V\)；公式 3、整流后频率 2、数值单位 4、小纹波/近恒流等边界 3 分。齐纳并联需串联限流且检查最小/最大齐纳电流；串联调整需输入压差并检查调整管耗散。拓扑 4、限流或压差 3、耗散 3 分。

口述（4 分）： 隔离/整流、滤波、稳压、容量增大使纹波减小但充电冲击加重，各 1 分。

电路（4 分）： 使用 \(I_L/(f_rC)\) 1 分、使用 \(100\ \mathrm{Hz}\) 1 分、\(0.91\ \mathrm V\) 与单位 1 分、说明小纹波/负载近恒流边界 1 分。

改变条件（2 分）： 交越失真减小 1 分；静态功耗和热稳定风险上升 1 分。

评分与补救（5 分钟）： 80–100 分进入模拟面试；60–79 分从最低分模块选两题在 Day 29 前重做；低于 60 分的模块只保留 P0 口述模板并回读对应章节。若把比较器使用虚短、忽略反馈稳定性或纹波公式中混淆整流后频率，该题最高一半分。

复习登记（3 分钟）： D+1（Day 29）重答第四关卡最低分题；D+3（Day 31）安排面试后一日，重做纹波/效率计算；D+7（Day 35）安排面试后五日，口述“A/B/AB 功放—整流滤波—稳压—负载”的系统链及热/安全边界。

Day 29　模拟面试一：诊断并定向修复

预计用时：60 分钟

目标： 在压力和追问下暴露最早知识断点，完成一次有证据的修复，而不是用模糊表达掩盖不会。

前置知识： Day 1–28 的 P0 内容、四次关卡成绩和错题与薄弱点记录（Clone 模式见学习助手）。

定位资料（非整节通读）： 模拟前不看教材；今天唯一的正式题本是模拟一：20 分钟诊断型（100 分）。完成全部可见题面后才打开折叠答案，并使用面试工作表记录证据；不再从章节另组第二套计分题。

5 分钟回忆： 完成 Day 22 的 D+7：说明虚短边界；完成 Day 26 的 D+3：解释相位裕度；完成 Day 28 的 D+1：重答最低分题。然后写下“结论—理由—方程—边界”四词。

核心模拟（20 分钟，满分 100）： 严格执行题本中的 M1-0～M1-7：M1-0 的 2 分钟包含 60 秒主答、三次各约 15 秒追问及约 15 秒读题/切换，随后完成 3 个基础快问、2 个画图分析、1 个推导和 1 个模拟接口边界题。考官开始读题即计时，到时停止；这 20 分钟产生今天唯一的模拟总分。

评分与 Top 3 缺口（8 分钟）： 先按固定五维权重计算题目分与维度总评，再按只选三个缺口的规则给候选断点计算优先级。只把前三项登记到工作表，今天只修第 1 项；本环节不产生第二个模拟分数。

口述题：最高优先缺口复答（6 分钟，不计入模拟总分）： 定位第 1 缺口对应的一个 P0 小节，只读定义、30 秒回答和适用边界；合上资料后用“结论—理由—方程—边界”重答。这里记录的是修复证据，不回改 M1 的原始分数。

电路题：最高优先缺口重画（8 分钟，不计入模拟总分）： 只重画第 1 缺口涉及的原电路、必要等效图或波形；标出参考方向、模型和一个失效边界，再从基本方程重算最早断裂的一步。若缺口偏表达，也必须用它对应的电路图证明口述不是背稿。

改变一个条件题：最小变式（5 分钟，不计入模拟总分）： 只改变第 1 缺口原题的一个数、参考方向、负载或频率；先预测，再列一条决定性方程并检查新结论。若仍错，保留原断点，不横向增加知识。

评分、补救与复习登记（8 分钟）： 把第 1 缺口的“原答—修正—最小变式”证据写入错题记录，并为当前 Top 3 各安排 D+1/D+3/D+7。第 1 缺口 D+1 在 Day 30 用压力题验证，D+3（Day 32）做同类变式，D+7（Day 36）做 90 秒迁移；第 2、3 项只排日期，不在今天展开。时间核对：\(5+20+8+6+8+5+8=60\) 分钟。

Day 30　模拟面试二：验证修复与最终速查

预计用时：60 分钟

目标： 验证 Day 29 的修复能够迁移，在白纸上重建核心公式/电路索引，并形成面试当天的停止学习条件。

前置知识： 模拟一录音或文字记录、最低分知识链、四周学习记录。

定位资料（非整节通读）： 今天唯一的正式题本是模拟二：25 分钟压力型（100 分）。模拟前只看 Day 29 第 1 缺口的“原答—修正—最小变式”记录，不看题本折叠答案，也不另组第二套计分题。

5 分钟回忆： 完成 Day 23 的 D+7：比较反相/同相/跟随；完成 Day 27 的 D+3：把差分对映射到运放输入级；完成 Day 29 的 D+1：重答最低分题。

核心模拟（25 分钟，满分 100）： 严格执行题本中的 M2-1～M2-9：沿同一个共射级推进 Q 点、小信号、负载、频率、局部反馈、反例纠错和故障，再回答运放与差分对补充。考官开始读统一题设即计时；这 25 分钟产生今天唯一的模拟总分。

评分与最终 Top 3（7 分钟）： 使用面试工作表保留 M2 的原始题目分与五维总评；对照 Day 29 第 1 缺口，标出“已迁移修复/仍是原断点/出现新断点”。随后重新计算缺口优先级，只保留最终 Top 3，不用另一次口试覆盖原分。

口述题：修复迁移复答（5 分钟，不计入模拟总分）： 从 M2 中选与 Day 29 第 1 缺口依赖最近的一问，先不看答案用 90 秒重答，再只核对一个决定性边界。若 M2 已证明修复，复述有效证据；若未证明，明确最早仍断在哪里。

电路题：白纸重建（6 分钟，不计入模拟总分）： 重画上述迁移题的原电路与一个必要等效图/波形，写出最短方程、量纲或工作区检查。只验证同一修复，不扩展新的器件或拓扑。

改变一个条件题：迁移测试（5 分钟，不计入模拟总分）： 只改变上述电路的一个参数、负载、频率或故障，先预测再计算；以“新题仍能正确声明模型和边界”作为 Day 29 修复是否迁移的最终证据。

最终速查与停止规则（4 分钟）： 白纸只写七行：KCL/KVL；戴维南/RC；二极管状态；BJT/MOS 判区与 \(g_m\)；基本组态增益方向；运放状态与反馈式；差分/功放/纹波。每行只留“公式/方向 + 一个条件 + 对应 Top 3 标记”；能口述条件即可停止扩展，不再增加新知识。

评分、补救与复习登记（3 分钟）： 记录 M1→M2 的两类分数变化、Day 29 第 1 缺口的迁移证据及最终 Top 3。D+1（Day 31）复述七行并重答第 1 缺口，D+3（Day 33）做最终最低维度变式，D+7（Day 37）做考后深入路线基线测验；其余学习时间可用于其他安排。时间核对：\(5+25+7+5+6+5+4+3=60\) 分钟。

第四周与全月出口

最终“面试可用”以两类分数与通过条件为准：M2 题目分与五维总评均至少 80、没有未清除的关键失误，且已抽到的 P0 模块均不低于 60%。若总分达标但单模块过低，仍按该模块最早断点补一题；任一总分低于 80 时不再横向加知识，只修最终 Top 3 中的最早断点。面试后按 D+1/D+3/D+7 继续回访，再进入完整教材的深入轨。