第 1 周：把电路变成一种可计算的语言¶
本周目标是从高中电学过渡到工程电路分析：先规定参考方向，再用守恒律列方程，最后建立一阶动态直觉。每天只占总专业课学习时间中的一个 45 分钟块；Day 7 关卡为 50 分钟，但当天不再追加模电新课。
冲刺必会
本周不追求公式数量。每道题都先画参考方向，再写 KCL/KVL；不会解释负号，就不算真正会算。
本周学习节奏¶
- 把当天任务固定在精神最清醒的一个短时段；遇到卡题先登记最早断点，不让一次卡题拖成整晚。
- 如果当天可用时间缩短，仍保留 P0 的“回忆—一条推导—三类题”，深入阅读顺延。
- Day 7 的 50 分钟关卡就是本周复习，不另设模电周测。
定位资料规则： 下方章节链接只是查找坐标，不是整节阅读作业。27 分钟核心时段只看当天列出的 2–4 个小节、图或公式块，并立即用于三条核心任务；未点名的内容全部属于深入轨，不计入当天。
Day 1 电压、电流、功率与参考方向¶
预计用时：45 分钟
目标： 能区分电荷、电流、电压和功率；在任意二端元件上标出关联参考方向，并用功率正负判断吸收或供能。
前置知识： 高中电学中的电荷、欧姆定律和功率；不会也可直接开始。
定位资料（非整节通读）： 在电荷、电流、电压、功率与参考方向只查 2.1 三个定义、2.2 关联参考方向、2.3 量纲/极限和紧随其后的“适用边界”；其余不读。
5 分钟基线诊断： 不看资料写出电流、电压、功率的单位；回答“电子运动方向是否总等于约定电流方向”“电压能否只属于一个点”“负功率代表计算错了吗”。把不会的只做标记，不现场搜索。
核心学习（27 分钟）：
- 用 \(i=\mathrm dq/\mathrm dt\)、\(v=\mathrm dw/\mathrm dq\)、\(p=vi\) 串起“电荷流动—单位电荷能量差—能量变化率”。
- 在一个电阻和一个电源上各自任选电流方向、标电压极性；只有电流进入标“+”端时，才可直接用关联参考方向的 \(p=vi\) 判断吸收功率。
- 做一次量纲检查：\(\mathrm V\cdot\mathrm A=\mathrm W\)；再做一次守恒检查：封闭电路内各元件代数功率和应为 0。
口述题（4 分钟）： 用 60 秒回答“电压和电流为什么都必须先规定参考方向？”要求说出负号的物理含义。
电路题（4 分钟）： 某元件标注电压 \(v=5\ \mathrm V\)（上正下负），电流参考方向由下向上且 \(i=2\ \mathrm A\)。求元件吸收功率，并判断它供能还是耗能。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把上题电流参考方向反过来、实际状态不变，\(i\) 的数值和功率表达应怎样同步改变？
复习登记（3 分钟）： 登记结果（Clone 模式可交给学习助手）；D+1（Day 2）闭眼复述三个定义；D+3（Day 4）做一次含负号的功率判断；D+7（Day 8）用 60 秒解释关联参考方向。
Day 2 KCL 与 KVL：先守恒，再列式¶
预计用时：45 分钟
目标： 能从给定参考方向写出基尔霍夫电流定律（Kirchhoff's Current Law, KCL）和基尔霍夫电压定律（Kirchhoff's Voltage Law, KVL），并解释式中的负号。
前置知识： Day 1 的电压、电流参考方向和功率符号。
定位资料（非整节通读）： 在KCL 与 KVL只查 4.1 KCL 图、4.2 KVL 图和 4.3 完整证明链；其余不读。
5 分钟回忆： 不看资料回答 Day 1 三个定义；给一个负电流和一个负功率各说出一句正确解释。
核心学习（27 分钟）：
- 从电荷守恒得到集中参数节点上的 \(\sum i_k=0\)；“流入为正”或“流出为正”任选其一，但同一式必须一致。
- 从电场近似保守得到回路上的 \(\sum v_k=0\)；沿绕行方向由“−”到“+”记电压上升，反之记下降。
- 对一个电源串两电阻电路分别列 KCL、KVL，并检查方程个数、单位与功率守恒。
口述题（4 分钟）： 用 60–90 秒回答“KCL、KVL 分别反映什么守恒？它们何时需要修正模型？”
电路题（4 分钟）： 某节点有 \(2\ \mathrm{mA}\)、\(3\ \mathrm{mA}\) 流入，\(i_x\) 的箭头也指向节点。列 KCL 并求 \(i_x\)，解释负号。
改变一个条件题（2 分钟）： 把 \(i_x\) 箭头反向但保持实际电路不变，方程和答案如何改变？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 3）无提示写 KCL/KVL；D+3（Day 5）重做一道含负号节点题；D+7（Day 9）口述两条定律及其集中参数边界。
Day 3 节点电压法与戴维南等效¶
预计用时：45 分钟
目标： 能完成“选地—标节点—按支路写电流—列 KCL—检查”的节点法流程；能求线性一端口的戴维南等效。
前置知识： Day 2 的 KCL/KVL、欧姆定律、串并联。
定位资料（非整节通读）： 只查节点电压法 5.3 完整例题、6.2 戴维南/诺顿同端口和 6.3“有限等效何时存在”；不读 6.4 最大功率等拓展。
5 分钟回忆： 画一个三支路节点并无提示写 KCL；解释“解得负电流”和“电阻为负”为什么不是同一回事。
核心学习（27 分钟）：
- 选参考地后，用统一模板 \((V_a-V_b)/R\) 写每一支路电流，不靠“看起来流向哪里”猜符号。
- 明确戴维南两参数：开路电压 \(V_{th}=V_{oc}\)；关闭独立源后从端口看的 \(R_{th}\)，含受控源时保留受控源并加测试源。
- 用极限检查节点式：某支路 \(R\to\infty\) 应消失，\(R\to0\) 应钳住相应节点；负载接上后 \(I_L=V_{th}/(R_{th}+R_L)\)。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒解释“戴维南等效保留了什么，又没有保留什么？”
电路题（4 分钟）： \(10\ \mathrm V\) 电源经 \(2\ \mathrm{k\Omega}\) 接节点，节点再经 \(3\ \mathrm{k\Omega}\) 接地。求该端口的 \(V_{th}\) 与 \(R_{th}\)。
改变一个条件题（2 分钟）： 在上题端口接 \(3\ \mathrm{k\Omega}\) 负载，端口电压相对开路值怎样变化？先判断再计算。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 4）重画节点法五步；D+3（Day 6）求一个含两独立源端口的 \(V_{th}\)；D+7（Day 10）口述含受控源时怎样求 \(R_{th}\)。
Day 4 一阶 RC：初值、终值、时间常数¶
预计用时：45 分钟
目标： 能用三要素法写出稳定一阶 RC 的阶跃响应，解释电容电压连续性与时间常数。
前置知识： Day 1–3 的电容、电压参考方向、KCL 和戴维南等效。
定位资料（非整节通读）： 在一阶 RC 暂态只查 7.1 初/终值、7.2 三要素式推导和 7.3 三点波形；能量小节留到深入轨。
5 分钟回忆： 做 Day 1 的 D+3：写 \(p=vi\) 的使用条件并判断一个负功率；再无提示写节点支路电流模板。
核心学习（27 分钟）：
- 由 \(i_C=C\,\mathrm dv_C/\mathrm dt\) 说明有限电流下 \(v_C(0^+)=v_C(0^-)\)，但电容电流可以突变。
- 写三要素式 \(v_C(t)=v_C(\infty)+[v_C(0^+)-v_C(\infty)]e^{-t/\tau}\)，其中 \(\tau=R_{\rm seen}C\)。
- 对充电电路检查 \(t=0^+\)、\(t=\tau\)、\(t\to\infty\) 三点，并解释约 \(5\tau\) 后为何工程上视为稳定。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒说明“电容电压为何通常不能突变，时间常数物理上表示什么”。
电路题（4 分钟）： 未充电的 \(10\ \mu\mathrm F\) 电容经 \(10\ \mathrm{k\Omega}\) 接到 \(5\ \mathrm V\) 阶跃，写 \(v_C(t)\)，求 \(t=\tau\) 时电压。
改变一个条件题（2 分钟）： 只把电容加倍，初值、终值、初始斜率和到达 63.2% 所需时间分别怎样变？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 5）默写三要素式；D+3（Day 7）做一个非零初值 RC；D+7（Day 11）用波形解释 \(R\) 加倍的影响。
Day 5 半导体、载流子与 PN 结¶
预计用时：45 分钟
目标： 能用扩散、漂移、耗尽区和势垒解释 PN 结的单向导电，而不把“0.7 V”当作开关定律。
前置知识： Day 1 的电流、电压和能量直觉；不要求量子力学。
定位资料（非整节通读）： 只查2.2 掺杂与多数/少数载流子、3.1 耗尽区形成、3.2 外加偏置和 3.3 中 Shockley 曲线图；费米能级拓展不读。
5 分钟回忆： 做 Day 2 的 D+3：写一个含负号的节点式并解释结果；随后说出 RC 三要素。
核心学习（27 分钟）：
- 区分电子、空穴、多数载流子和少数载流子；说明掺杂改变的是浓度，不是凭空制造净电荷流。
- PN 接触后，多数载流子扩散留下固定离子，建立耗尽区内建电场；漂移与扩散在热平衡时抵消。
- 正向偏置降低势垒、反向偏置升高势垒；Shockley 指数关系解释为何导通是渐变且受温度影响。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒从“刚接触”讲到“热平衡”，解释耗尽区怎样形成。
电路题（4 分钟）： 画一个 PN 结串联限流电阻与可反接直流源的电路。分别标出正向、反向偏置时势垒与耗尽区的变化，并只判断电流相对热平衡漏电是“大幅增加”还是“仍很小”；本题不使用恒压降或数值电流模型。
改变一个条件题（2 分钟）： 在反向偏置下只继续增大电源幅值，耗尽区和漏电趋势如何；何时必须补充“击穿与限流”边界？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 6）画出 PN 结正反偏示意；D+3（Day 8）从势垒解释整流；D+7（Day 12）回答温度升高时同电流下正向压降的趋势。
Day 6 二极管模型、状态假设与基本电路¶
预计用时：45 分钟
目标： 能选择理想、恒压降或小信号模型，并用“假设状态—求解—审判不等式”分析整流、限幅和钳位。
前置知识： Day 2 的 KCL/KVL、Day 5 的 PN 结与正反偏。
定位资料（非整节通读）： 只查4.1 模型选择表、5 节状态假设算法开头步骤和6.4 三类电路辨析；三道长例题不通读。
5 分钟回忆： 做 Day 3 的 D+3：口述 \(V_{th}\) 与 \(R_{th}\) 求法；再用两句话解释正偏为何增大载流子注入。
核心学习（27 分钟）：
- 先按问题选模型：逻辑状态用理想/恒压降，偏置点附近微小交流用 \(r_d=nV_T/I_D\)，高精度才用指数式。
- 练习状态算法：假设导通后以压降模型代换，解完检查电流方向；假设截止后开路，解完检查端电压是否满足截止区。
- 区分三种功能：整流选择半周，限幅限制幅度，钳位在近似保持峰峰值时移动直流电平。
口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“为什么二极管题必须先声明模型，并在算完后检查状态？”
电路题（4 分钟）： \(5\ \mathrm V\) 经 \(1\ \mathrm{k\Omega}\) 和一只按 \(0.7\ \mathrm V\) 模型的二极管接地，分别对二极管正接、反接求电流并验证假设。
改变一个条件题（2 分钟）： 若正接时把串联电阻减半，二极管端电压、电流和功耗各有什么趋势？
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 7）不看资料写状态算法；D+3（Day 9）分析一个偏置限幅器；D+7（Day 13）比较直流电阻 \(V_D/I_D\) 与小信号电阻 \(r_d\)。
Day 7 第一关卡：电路语言、等效与 RC¶
预计用时：50 分钟
目标： 在计时条件下串联 Day 1–6，确认能画方向、列方程、选模型并口述边界。
前置知识： Day 1–6；开始前只看自己的错题与薄弱点记录（Clone 模式见学习助手），不看答案式笔记。
定位资料（非整节通读）： 关卡前不读教材；评分后的 5 分钟内，只按一个失分点查第 1 章错误表或第 2 章错误表的一行。
5 分钟回忆： 做 Day 4 的 D+3：默写 RC 三要素式并解释每一项；做 Day 6 的 D+1：写二极管状态假设算法。
核心闭卷题单（27 分钟，90 分）：
- 0–8 分钟，20 分。 （a）元件上正下负，\(v=6\ \mathrm V\)，参考电流向上且 \(i=2\ \mathrm A\)：求吸收功率并解释符号（8 分）。（b）节点有 \(2,3\ \mathrm{mA}\) 流入，箭头指入的 \(i_x\) 未知：列 KCL、求 \(i_x\) 并解释结果符号（12 分）。
- 8–17 分钟，35 分。 \(12\ \mathrm V\) 经 \(2\ \mathrm{k\Omega}\) 到节点，节点经 \(4\ \mathrm{k\Omega}\) 接地。（a）从节点对地求戴维南参数（20 分）。（b）在该端口接 \(C=15\ \mu\mathrm F\)，且 \(v_C(0^+)=2\ \mathrm V\)：求时间常数并写完整响应（15 分）。
- 17–27 分钟，35 分。 （a）解释 PN 结从刚接触到热平衡时耗尽区形成的因果链（10 分）。（b）\(5\ \mathrm V\) 经 \(1\ \mathrm{k\Omega}\) 和按 \(0.7\ \mathrm V\) 模型的二极管接地：分别对正接、反接求电流并写状态审判条件（20 分）。（c）说出恒压降模型在温度或微小交流问题中的一个边界（5 分）。
本关卡总分严格为：核心题单 90 + 下方口述 4 + 电路 4 + 改变条件 2 = 100。
口述题（4 分钟，计入关卡）： 90 秒回答“从参考方向到模型审判，一道陌生电路题应怎样开始？”满分 4 分。
电路题（4 分钟，计入关卡）： \(10\ \mathrm V\) 经 \(2\ \mathrm{k\Omega}\) 到节点，节点经 \(3\ \mathrm{k\Omega}\) 接地，\(10\ \mu\mathrm F\) 电容也从节点接地。移除电容后求它所见的戴维南参数，再求稳态电压与从零初值开始的时间常数。满分 4 分。
改变一个条件题（2 分钟，计入关卡）： 只把电容加倍，端口的 DC 戴维南参数与暂态各怎样变？满分 2 分。
交卷后展开：标准答案与评分点（交卷前禁止打开）
核心题 1（20 分）： （a）参考电流进入负端，按吸收功率约定 \(p=-vi=-12\ \mathrm W\)，元件向外供能。式、数值、供能判断分别 2、3、3 分。（b）取流入为正，\(2+3+i_x=0\)，所以 \(i_x=-5\ \mathrm{mA}\)；负号表示实际电流流出。方程、数值、解释各 4 分。
核心题 2（35 分）： （a）开路节点电压 \(V_{th}=12\times4/(2+4)=8\ \mathrm V\)；电压源置零后 \(R_{th}=2\parallel4=4/3\ \mathrm{k\Omega}\)。节点式 5、\(V_{th}\) 5、\(R_{th}\) 8、单位 2 分。（b）终值 \(8\ \mathrm V\)，\(\tau=R_{th}C=20\ \mathrm{ms}\)，故 \(v_C(t)=8-6e^{-t/(20\mathrm{ms})}\ \mathrm V\)。初值、终值、\(\tau\)、完整式分别 3、3、4、5 分。
核心题 3（35 分）： （a）载流子扩散后留下固定离子，形成内建场；漂移与扩散在平衡时抵消。四个因果节点各 2 分，方向正确 2 分。（b）正接候选 \(I=(5-0.7)/1\mathrm{k}=4.3\ \mathrm{mA}\)，电流方向满足导通；反接开路候选 \(I=0\)，端压满足反偏。两种状态各 10 分。（c）恒压降不能描述温度变化下的压降、偏置点附近微小斜率或快速动态；答出任一并解释得 5 分。
口述（4 分）： 参考方向、基本定律、求解后检查、模型及边界各 1 分。
电路（4 分）： 电容所见 \(V_{th}=6\ \mathrm V\)、\(R_{th}=1.2\ \mathrm{k\Omega}\)、终值 \(6\ \mathrm V\)、\(\tau=12\ \mathrm{ms}\)，各 1 分。
改变条件（2 分）： \(V_{th},R_{th}\) 不变 1 分；\(\tau\) 加倍、响应变慢 1 分。
评分与补救（5 分钟）： 80–100 分进入 Week 2；60–79 分只重做失分链并在 Day 8 前 5 分钟复测；低于 60 分暂停新模型一天，按“参考方向→KCL/KVL→节点法→RC/二极管”最早断点回读。任一题若没有写假设或单位，该题最高得一半分。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 8）重答关卡最低分题；D+3（Day 10）做同模型换参数题；D+7（Day 14）在第二关卡开场用 90 秒复述第一周证据链。
第一周关卡出口¶
通过标准不是“看懂”，而是：能在空白纸上完成一题节点/等效、一题 RC、一题二极管状态判断，并说清至少一个负号和一个模型边界。记录最低分知识链，Week 2 每天只修一个最早断点。