第 2 周：从二极管波形到晶体管工作区¶
本周把“先假设状态、再用外电路审判”的方法迁移到 BJT 与 MOSFET。Day 8–13 各 45 分钟，Day 14 关卡 50 分钟；模电周预算 320 分钟。
冲刺必会
晶体管不是背公式的三端黑箱。每次先标端子和电压，再判工作区；只有 Q 点成立，才允许画小信号模型。
本周学习节奏¶
本周器件符号密集。每天只新增一张“端子—方向—区域—方程”卡片；额外器件物理放入考后深入。把“Q 点附近小信号”始终理解为对器件非线性关系在工作点附近做一阶近似，并用当天题目独立验证。
定位资料规则： 链接只用于在长讲义中定位，不要求通读。27 分钟核心时段只读取当日点名的关键图与公式，并按本日分配计时；看完立刻合上资料完成对应任务，未点名内容归入深入轨。
任务与核对规则： Dnn-R 是回忆，Dnn-K1/K2/K3 是核心任务（有前置准备时另标 K0），Dnn-O/Q/V 分别是口述、电路、单条件变式，nn 为两位 Day。普通日的 P0 关卡就是 O/Q/V：先独立完成三项，再在本日折叠答案按模型、方向、方程、结果和边界核对；三项全部独立成立才记“通过”，否则记“进行中”和最早断点。回忆中提到自己的旧失分题时，核对原交卷及其原题答案，不预设失分内容。作图用本日答案的节点/关键点或精确指定的教材图检查，不要求临时重构别题。实验只替换同目标核心任务，不另加分钟。学习助手也必须等学习者作答后才打开/转述答案。
Day 8 二极管波形：整流、限幅与钳位¶
预计用时：45 分钟
目标： 能把一个周期按二极管状态分段，画出带门槛的整流、限幅、钳位输出，并标关键电平。
前置知识： Day 6 的模型选择和状态算法，Day 7 关卡中暴露的最低分知识链。
定位资料（非整节通读）： 在整流、限幅与钳位只查 6.1 半波波形、6.2 偏置限幅波形、6.3 钳位启动/稳态图和 6.4 辨析表；只读各图前后解释，不重做长算例。
交互实验： 在二极管状态与波形中先预测导通区，只改压降或参考电平之一，再用门槛与输出波形解释差异。
D08-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 1 的 D+7：解释关联参考方向；完成 Day 5 的 D+3：从势垒说明为何二极管能整流；重答 Day 7 最低分题的第一步。
核心学习（27 分钟）：
- D08-K1 在输入波形上先找可能切换的门槛时刻，再逐段假设导通/截止、求 \(v_o\) 并审判状态。
- D08-K2 画半波整流和偏置限幅波形，坐标必须有 0、峰值、阈值与时间；不要把 \(0.7\ \mathrm V\) 遗漏成理想二极管。
- D08-K3 对钳位电路先分析启动充电，再在 \(RC\) 远大于周期时用近似恒定电容电压画稳态；说明负载会造成下垂。
D08-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒区分整流、限幅、钳位，并分别说出输出改变的是半周、幅值还是直流电平。
D08-Q｜电路题（4 分钟）： 输入为 \(\pm5\ \mathrm V\) 正弦，经串联电阻到输出；输出对地接二极管，使正向时在约 \(+0.7\ \mathrm V\) 导通。分段写 \(v_o\) 并画波形。
D08-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 保持二极管 A 接输出，只把 K 从地改接 \(+2\ \mathrm V\) 理想参考节点（参考源另一端接地）。限幅电平怎样移动？先标 \(v_D=v_o-2\ \mathrm V\) 再答。
D08 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D08-R/K 核对： 参考与 PN 原因见 Day 1/5；Week 1 失分项只能与自己的交卷证据核对。切换点来自 \(v_A-v_K=V_\gamma\)，不是只按输入过零。整流、限幅与钳位的图/模型依据分别为第 2 章 §6.1/6.2/6.3；启动充电与稳态保持不可混同。
D08-O： 整流改变保留的半周，限幅限制超阈幅值，钳位通过电容储能平移直流电平，近似保持峰峰值；有负载时要查下垂。
D08-Q： A 接输出、K 接地；\(v_o=\min(v_i,0.7\ \mathrm V)\)。令 \(v_i=5\sin\theta\)，切换角 \(\alpha=\arcsin(0.14)=8.048^\circ\)；每周期 \([\alpha,180^\circ-\alpha]\) 输出为 0.7 V，其余跟随输入，负峰 −5 V。门槛等号是 \(i_D=0\) 的 ON 边界。
D08-V： K 改接 +2 V 参考点后 \(v_o=\min(v_i,2.7\ \mathrm V)\)；\(\alpha=\arcsin(0.54)=32.684^\circ\)，上限升至 2.7 V、负峰仍 −5 V。正确图在这两个切换点水平接平顶，不能整体抬高正弦。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 9）无图口述三类电路区别；D+3（Day 11）画一题反向限幅；D+7（Day 15）从输入波形标出全部切换时刻。
Day 9 BJT 结构、端口关系与工作区¶
预计用时：45 分钟
目标： 能识别 NPN 的 B、C、E 端和电流参考方向，用两个 PN 结偏置判断 BJT 截止区、正向有源区与饱和区。
前置知识： Day 5 的 PN 结，Day 6 的状态假设算法。
定位资料（非整节通读）： 只查2.2 三种电流关系、3.1 两结判区表和 3.3 状态分析链；反向有源拓展不读。
D09-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 2 的 D+7：口述 KCL/KVL 与边界；完成 Day 6 的 D+3：复用 D08-V 的 +2 V 参考限幅器判断门槛。
核心学习（27 分钟）：
- D09-K1 固定约定：NPN 的 \(i_B,i_C\) 流入器件，\(i_E\) 流出，恒有 \(i_E=i_B+i_C\)；放大区近似 \(i_C=\beta i_B\) 不是恒等式。
- D09-K2 用 BE、BC 两结偏置判断：截止近似两结不正偏；正向放大为 BE 正偏、BC 反偏；饱和为两结都正偏。
- D09-K3 状态题先假设区域、换模型、解端电压电流，再检查结偏置和外电路是否能提供假定电流。
D09-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒解释“为什么只看 \(V_{BE}\approx0.7\ \mathrm V\) 不足以判断 BJT 在放大区”。
D09-Q｜电路题（4 分钟）： NPN 发射极接地，测得 \(V_B=0.72\ \mathrm V\)、\(V_C=5\ \mathrm V\)。判断两结偏置与工作区，并标 \(i_B,i_C,i_E\)。
D09-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 只把上题 \(V_C\) 降到 \(0.2\ \mathrm V\)，为什么原先的 \(i_C=\beta i_B\) 可能失效？
D09 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D09-R/K 核对： KCL/KVL 边界见 Day 2，偏置限幅见 Day 8。NPN 的 \(I_B,I_C\) 流入、\(I_E\) 流出，\(I_E=I_B+I_C\)；\(\beta\) 关系仅为有源近似。深饱和固定压降候选还需检查外部基极驱动，不是只验电流为正。
D09-O： \(V_{BE}\) 只描述 BE 结，还须比较 \(V_B-V_C\)；BE 正偏而 BC 反偏才是前向有源，BC 也正偏就是饱和。
D09-Q： \(V_{BE}=0.72\ \mathrm V>0,V_{BC}=0.72-5=-4.28\ \mathrm V\lt 0\)，前向有源；电流方向如 K 项。
D09-V： \(V_{BC}=0.52\ \mathrm V>0\)，两结正偏；电流受外电路和饱和输运约束，不能继续用有源 \(I_C=\beta I_B\)。只给节点电压并不能求出电流数值。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 10）画 NPN 三端方向和区域表；D+3（Day 12）做一题给端电压判区；D+7（Day 16）用两个结解释饱和。
Day 10 BJT 直流偏置、负载线与 Q 点¶
预计用时：45 分钟
目标： 能求固定偏置或分压偏置 BJT 的静态工作点（quiescent point, Q 点），并用负载线检查工作区和摆幅余量。
前置知识： Day 3 的戴维南、Day 9 的 BJT 工作区。
定位资料（非整节通读）： 在BJT 偏置与负载线只查 4.1 固定偏置算例、4.2 分压偏置中的戴维南步骤和 4.3 判区/边界清单；不延伸其他偏置拓扑。
D10-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 3 的 D+7：说明有受控源时怎样求 \(R_{th}\)；完成 Day 7 的 D+3：对最低分知识链换一个参数重做。
核心学习（27 分钟）：
- D10-K1 DC 分析时电容开路；把基极分压网络化为 \(V_{th},R_{th}\)，从基极—发射极回路求 \(I_B\) 与 \(I_C\) 候选值。
- D10-K2 从集电极回路写 \(V_{CE}=V_{CC}-I_CR_C-I_ER_E\)，画截止端点与饱和端点，Q 点必须落在模型适用区。
- D10-K3 解释发射极电阻的负反馈：\(I_C\) 偏大使 \(V_E\) 抬高、\(V_{BE}\) 变小，从而抑制变化；代价是电压余量和增益。
D10-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“设置 Q 点的目的是什么？为什么不能只算 \(I_C=\beta I_B\) 就结束？”
D10-Q｜电路题（4 分钟）： \(V_{CC}=10\ \mathrm V,R_C=2\ \mathrm{k\Omega},R_B=930\ \mathrm{k\Omega},\beta=100,V_{BE}=0.7\ \mathrm V\)，发射极接地。求候选 \(I_B,I_C,V_{CE}\) 并判区。
D10-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 只把 \(\beta\) 加倍，上述固定偏置 Q 点怎样移动？若加入发射极电阻，敏感性趋势如何？
D10 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D10-R/K 核对： 受控源须保留并加测试源；旧关卡变式按原目标与本页对应模型核对，不预设已通过。DC 时电容开路；分压偏置有 \(I_B=(V_{th}-V_{BE})/[R_{th}+(\beta+1)R_E]\)，再求 \(I_C,I_E,V_{CE}\) 并验结偏置。
D10-O： Q 点给出无信号状态、小信号导数和两侧摆幅余量；仅算 \(\beta I_B\) 未证明外电路能提供该电流。
D10-Q： \(I_B=10.0\ \mu\mathrm A,I_C=1.00\ \mathrm{mA},V_{CE}=8.00\ \mathrm V\)；\(V_C>V_B=0.7\) V，自洽有源。负载线 \(V_{CE}=10-2\mathrm{k}I_C\)，截止截距 10 V、理想零压电流截距 5 mA；Q 点为 \((8\ \mathrm V,1\ \mathrm{mA})\)。
D10-V： \(\beta=200\) 后 \(I_B\) 不变，\(I_C=2.00\) mA、\(V_{CE}=6.00\) V，仍有源。加入 \(R_E\) 会使电流上升抬高发射极电压、减小基流，降低偏置对 \(\beta\) 的敏感性；没有给 \(R_E\) 等新参数，不能编造新数值。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 11）无提示写 DC 求解顺序；D+3（Day 13）做分压偏置 Q 点题；D+7（Day 17）用负载线解释截止和饱和削顶。
Day 11 BJT 小信号线性化¶
预计用时：45 分钟
目标： 能区分总量、直流量和增量，从 Q 点求 \(g_m,r_\pi,r_e\)，并画出基础混合 \(\pi\) 小信号模型。
前置知识： Day 4 的局部动态直觉、Day 10 的 Q 点。
定位资料（非整节通读）： 在BJT 小信号线性化只查 5.1 总量/直流/增量与混合 \(\pi\) 图、5.2 线性化幅度和 5.3 分析链；Early 效应留到深入轨。
D11-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 4 的 D+7：解释 \(R\) 加倍怎样改变 RC 波形；完成 Day 8 的 D+3：把 D08-Q 二极管反接（A 接地、K 接输出）画下限幅波形。
核心学习（27 分钟）：
D11-K0（7 分钟，已含在核心 27 分钟内）： 在工具章 §2.1、§4.2和§5.1只看 \(j\)、模/角、同频相量微分与 \(Z_C\) 的定义；独立写 \(\lvert1+j\rvert\)、相角及“频率十倍时电容阻抗幅值怎样变”。这先于下方首次使用中频电容近似；余下 20 分钟做 BJT 三项。
- D11-K1 写 \(v_{BE}(t)=V_{BEQ}+v_{be}(t)\)、\(i_C(t)=I_{CQ}+i_c(t)\)；小信号不是“小电流”，而是围绕 Q 点的增量足够小。
- D11-K2 由指数关系的一阶导数得到 \(g_m=I_C/V_T\)，再由 \(i_b=i_c/\beta\) 得 \(r_\pi=\beta/g_m\)，且 \(r_e\approx1/g_m\)。
- D11-K3 画基—射之间 \(r_\pi\)、集—射之间受控电流源 \(g_mv_{be}\)；中频分析将独立 DC 电压源置交流地。
D11-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒解释“小信号模型为什么依赖 Q 点，输入过大时会发生什么”。
D11-Q｜电路题（4 分钟）： 已知 \(I_C=1\ \mathrm{mA},\beta=100,V_T=25\ \mathrm{mV}\)，求 \(g_m,r_\pi,r_e\)，并检查单位。
D11-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 只把 \(I_C\) 加倍且 \(\beta\) 不变，\(g_m,r_\pi,r_e\) 分别如何变化？
D11 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D11-R/K 核对： RC 变慢见 Day 4；反向限幅为 \(v_o=\max(5\sin\theta,-0.7)\ \mathrm V\)，负半周 \(188.048^\circ\) 至 \(351.952^\circ\) 平在 −0.7 V（门槛等号归零电流 ON）。\(g_m\) 是 Q 点局部斜率。图应有 B—\(r_\pi\)—E，以及 C 到 E 的 \(g_mv_{be}\) 源，\(v_{be}=v_b-v_e\)；只在 E 交流接地时可把 E 画到地。频域起步核对：\(j^2=-1,\lvert1+j\rvert=\sqrt2,\arg(1+j)=45^\circ\)，同频相量微分乘 \(j\omega\)；\(Z_C=1/(j\omega C)\)，固定 C 时频率十倍使阻抗幅值为十分之一。
D11-O： 先有 Q 点才有线性化参数；\(|v_{be}|\ll V_T\) 且不跨区才可保留一阶项，输入增大产生非线性甚至削顶。
D11-Q： \(g_m=40.0\ \mathrm{mS}\)，\(r_\pi=2.50\ \mathrm{k\Omega}\)，题中 \(r_e\approx1/g_m=25.0\ \Omega\)；若保留有限 \(\beta\)，\(r_e=\alpha/g_m=24.75\ \Omega\)。
D11-V： \(g_m=80.0\ \mathrm{mS}\)，\(r_\pi=1.25\ \mathrm{k\Omega}\)，\(1/g_m=12.5\ \Omega\)（有限 \(\beta\) 的 \(r_e=12.38\ \Omega\)）。S=A/V，不能写成电阻单位。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 12）默写三个参数及单位；D+3（Day 14）从给定 Q 点重画模型；D+7（Day 18）解释输入幅度为何影响线性。
Day 12 NMOS 结构与工作区¶
预计用时：45 分钟
目标： 能识别增强型 NMOS 的 G、D、S，使用 \(V_{GS},V_{DS},V_{OV}\) 判断 NMOS 截止区、三极管区和饱和区。
前置知识： Day 5 的载流子与电场、Day 9 的状态判断方法。
定位资料（非整节通读）： 只查6.1 沟道形成图、7.1 三区域不等式和 7.3 状态假设算法；7.2 电流式证明只作深入轨。
D12-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 5 的 D+7：回答温度与正向压降趋势；完成 Day 9 的 D+3：复用 D09-V 的 \(V_E=0,V_B=0.72,V_C=0.2\) V 判断两结。
核心学习（27 分钟）：
- D12-K1 栅极绝缘使 DC 栅电流理想近零；\(V_{GS}>V_{TH}\) 才形成反型沟道，定义过驱动 \(V_{OV}=V_{GS}-V_{TH}\)。
- D12-K2 长沟道模型：\(V_{GS}\lt V_{TH}\) 为截止；在 \(V_{GS}\ge V_{TH},V_{DS}\ge0\) 的导通侧，\(V_{DS}\lt V_{OV}\) 为三极管区，\(V_{DS}\ge V_{OV}\) 为饱和区。本书把 \(V_{GS}=V_{TH}\) 归零电流的饱和侧边界；等号不表示已经产生强反型电流。
- D12-K3 强调命名差异：MOS“饱和区”常用于放大，BJT“饱和区”则意味着两结正偏、失去 \(\beta\) 关系。
D12-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒说明“NMOS 为什么近似电压控制，又为什么不能说栅极永远没有电流”。
D12-Q｜电路题（4 分钟）： NMOS 源极接地，\(V_{TH}=1\ \mathrm V,V_G=3\ \mathrm V,V_D=4\ \mathrm V\)。求 \(V_{OV}\) 并判断区域。
D12-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 只把 \(V_D\) 降到 \(1\ \mathrm V\)，器件区域和电流方程应怎样改变？
D12 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D12-R/K 核对： 固定电流时常见硅结正向压降随升温下降；BJT 两结判区见 Day 9。NMOS 栅 DC 近似开路，但动态有充放电电流；先定义 \(V_{OV}=V_{GS}-V_{TH}\)。本书将 \(V_{GS}=V_{TH},V_{DS}\ge0\) 归零电流的饱和侧边界；这不表示已经有强反型电流，也不能在 \(V_{OV}=0\) 套 \(2I_D/V_{OV}\)。
D12-O： 栅电压通过电场建立沟道；绝缘不等于无栅电容、漏电或保护支路电流。
D12-Q： \(V_{TH}=1\) V、\(V_{GS}=3\) V，故 \(V_{OV}=2\) V；\(V_{DS}=4\ge2\) V，NMOS 饱和区。
D12-V： \(0\le V_{DS}=1\lt V_{OV}=2\) V，三极管区；忽略沟长调制时 \(I_D=k_n(V_{OV}V_{DS}-V_{DS}^2/2)=1.5k_n\ \mathrm{V^2}\)。未给 \(k_n\)，无唯一安培数值。\(V_T\) 留给热电压，阈值写 \(V_{TH}\)。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 13）默写三个区域不等式；D+3（Day 15）做一题源极不接地的判区；D+7（Day 19）比较 BJT/MOS“饱和”的含义。
Day 13 MOS 小信号与 BJT 对照¶
预计用时：45 分钟
目标： 能从 MOS Q 点求 \(g_m\)、画小信号模型，并从输入端口、跨导、偏置敏感性和非理想性比较 BJT/MOS。
前置知识： Day 11 的线性化，Day 12 的 NMOS 饱和区平方律。
定位资料（非整节通读）： 只查9.1 \(g_m\) 推导与模型图、10.1 控制端口比较和 10.2 对照检查链；9.2 的 \(r_o\)/体效应只读定义句。
D13-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 6 的 D+7：区分 \(V_D/I_D\) 与 \(r_d\)；完成 Day 10 的 D+3：写出分压偏置求 Q 点的方程顺序。
核心学习（27 分钟）：
D13-K0（5 分钟，已含在核心 27 分钟内）： 用PNP/PMOS 极性迁移的对照与数值例，先画 PNP 的三个电流箭头，再把 NMOS 的 \(V_{GS},V_{DS}\) 迁成 PMOS 的 \(V_{SG},V_{SD}\)，口述两个有源/饱和条件。它是 Day 20 互补管和 Day 27 上拉电流镜的前置；剩余 22 分钟做 MOS 三项。
- D13-K1 对 \(I_D=\tfrac12kV_{OV}^2\) 在 Q 点求导，得 \(g_m=kV_{OV}=2I_D/V_{OV}\)；小信号受控源为 \(g_mv_{gs}\)。
- D13-K2 基础模型中栅极开路、漏源间放受控电流源；考虑沟道长度调制时再加入 \(r_o\approx1/(\lambda I_D)\)。
- D13-K3 对照：MOS 栅 DC 输入电阻高，BJT 同电流下常有更高 \(g_m\)；两者实际都受寄生电容、输出电阻、温度和偏置限制。
D13-O｜口述题（4 分钟）： 用 90 秒回答“BJT 是电流控制、MOS 是电压控制，这种说法哪里有用、哪里过度简化？”
D13-Q｜电路题（4 分钟）： 某 NMOS 的 \(I_D=1\ \mathrm{mA},V_{OV}=0.2\ \mathrm V\)，求 \(g_m\)；与同为 \(1\ \mathrm{mA}\) 的 BJT（\(V_T=25\ \mathrm{mV}\)）比较跨导。
D13-V｜改变一个条件题（2 分钟）： 保持 \(I_D\) 不变，只把 MOS 的 \(V_{OV}\) 加倍，\(g_m\) 怎样变？为维持该电流，器件参数 \(k\) 需怎样变？
D13 完成后核对：核心依据、O/Q/V 答案（独立作答前不打开）
D13-R/K 核对： \(V_D/I_D\) 是从原点割线电阻，\(r_d\) 是 Q 点切线倒数；分压偏置方程见 Day 10。忽略 \(\lambda\) 的 MOS 饱和平方律给 \(g_m=k_nV_{OV}=2I_D/V_{OV}\)；模型源从 D 指向 S，控制电压 G 对 S。极性迁移：PNP 的 \(I_E\) 流入、\(I_B,I_C\) 流出；有源时 \(V_{EB}>0,V_{CB}\lt 0\)。PMOS 用正的 \(V_{SG},V_{SD}\) 与 \(|V_{TH,p}|\) 判区，常规电流从 S 到 D。核对极性迁移算例，不能只反电流箭头而保留 N 型端压不等式。
D13-O： “电流控制/电压控制”描述有用端口近似；BJT 的输运电流也指数依赖 \(V_{BE}\)，MOS 控制端也需要动态充电，不能当无条件器件定律。
D13-Q： MOS \(g_m=2(1\mathrm{mA})/0.2=10.0\) mS；BJT \(g_m=1\mathrm{mA}/25\mathrm{mV}=40.0\) mS，为其 4 倍。
D13-V： \(V_{OV}=0.4\) V 且 \(I_D=1\) mA 时 \(g_m=5\) mS；\(k_n=2I_D/V_{OV}^2\) 由 50 降到 12.5 mA/V²，为原来的 1/4。仅改偏压而器件 \(k_n\) 固定，不能同时维持原电流。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 14）画 MOS 小信号模型；D+3（Day 16）完成 BJT/MOS 同电流跨导比较；D+7（Day 20）口述 \(r_o\) 的来源与趋势。
Day 14 第二关卡：器件状态、偏置与小信号¶
预计用时：50 分钟
目标： 在不翻书时完成二极管波形、BJT/MOS 判区、Q 点和小信号参数的组合分析。
前置知识： Day 8–13，并能调用 Week 1 的 KCL/KVL、戴维南与 RC。
定位资料（非整节通读）： 关卡前不读教材；评分后的 5 分钟只按一个失分点查BJT/MOS 错误表的一行，或从状态案例画廊选一个同区域案例，不连续浏览。
D14-R｜5 分钟回忆： 完成 Day 7 的 D+7：用 90 秒串起“参考方向—守恒—等效—动态—模型审判”；完成 Day 11 的 D+3：由 Q 点写 BJT 小信号参数。
核心闭卷题单（27 分钟，90 分）：
- D14-G1｜0–9 分钟，30 分。 （a）对 \(\pm5\ \mathrm V\) 正弦和 \(+0.7\ \mathrm V\) 对地上限幅器，写分段式、标切换点并画一周期（15 分）。（b）NPN 发射极接地，分别对 \((V_B,V_C)=(0,5),(0.72,5),(0.72,0.2)\ \mathrm V\) 判工作区并写 BE、BC 偏置（15 分）。
- D14-G2｜9–18 分钟，30 分。 \(V_{CC}=10\ \mathrm V,R_C=2\ \mathrm{k\Omega},R_B=930\ \mathrm{k\Omega},\beta=100,V_{BE}=0.7\ \mathrm V\)，发射极接地：求 \(I_B,I_C,V_{CE}\) 并判区（18 分）；再取 \(V_T=25\ \mathrm{mV}\)，求 \(g_m,r_\pi,r_e\) 并画受控源方向（12 分）。
- D14-G3｜18–27 分钟，30 分。 （a）NMOS 源接地，\(V_{TH}=1\ \mathrm V,V_G=3\ \mathrm V\)，分别在 \(V_D=4\ \mathrm V\) 与 \(1\ \mathrm V\) 时判区并写不等式（12 分）；（b）另取一个独立的长沟道 NMOS 饱和 Q 点，体接源、忽略沟长调制，给 \(I_D=1\ \mathrm{mA},V_{OV}=0.2\ \mathrm V\)，不沿用（a）的端压，求 \(g_m\) 并画模型（10 分）；（c）将（b）的 NMOS 与同电流、\(V_T=25\ \mathrm{mV}\) 的 BJT 比较跨导，并各说一个输入端边界（8 分）。
本关卡总分严格为：核心题单 90 + 下方口述 4 + 电路 4 + 改变条件 2 = 100。
D14-O｜口述题（4 分钟，计入关卡）： 90 秒解释“为什么所有晶体管小信号分析都必须先完成 DC 偏置分析”。满分 4 分。
D14-Q｜电路题（4 分钟，计入关卡）： 分别给一个 \(I_C=1\ \mathrm{mA},\beta=100,V_T=25\ \mathrm{mV}\) 的 BJT 和一个 \(I_D=1\ \mathrm{mA},V_{OV}=0.2\ \mathrm V\) 的 NMOS，求两者 \(g_m\)，画受控源方向并说明输入端差别。满分 4 分。
D14-V｜改变一个条件题（2 分钟，计入关卡）： 只降低两电路的集/漏极电源，哪些小信号公式本身没变，哪些工作区前提可能先失效？满分 2 分。
交卷后展开：标准答案与评分点（交卷前禁止打开）
D14-G1｜核心题 1（30 分）： （a）\(v_i\lt 0.7\ \mathrm V\) 时二极管截止、\(v_o=v_i\)；\(v_i\ge0.7\ \mathrm V\) 时导通（等号为零电流 ON 边界）、\(v_o\approx0.7\ \mathrm V\)。状态、分段式、标出阈值的一周期波形各 5 分。（b）三组依次为截止、正向放大、饱和；分别对应 BE 不正偏/BC 反偏，BE 正偏/BC 反偏，BE 与 BC 均正偏。每组区域 2、两结依据 3 分。
D14-G2｜核心题 2（30 分）： \(I_B=(10-0.7)/930\mathrm{k}=10\ \mu\mathrm A\)，\(I_C=1\ \mathrm{mA}\)，\(V_{CE}=10-I_C R_C=8\ \mathrm V\)，与正向放大区自洽。三值各 4、判区 6 分。\(g_m=I_C/V_T=40\ \mathrm{mS}\)，\(r_\pi=\beta/g_m=2.5\ \mathrm{k\Omega}\)，\(r_e\approx1/g_m=25\ \Omega\)；受控电流从集电极指向发射极。三值共 6、单位 3、方向 3 分。
D14-G3｜核心题 3（30 分）： （a）\(V_{OV}=2\ \mathrm V\)；\(V_D=4\ \mathrm V\) 时 \(V_{DS}\ge V_{OV}\)，为 NMOS 饱和区，\(V_D=1\ \mathrm V\) 时 \(0\lt V_{DS}\lt V_{OV}\)，为 NMOS 三极管区。两个区域及不等式各 6 分。（b）独立 Q 点采用题给 \(V_{OV}=0.2\ \mathrm V\)，MOS \(g_m=2I_D/V_{OV}=10\ \mathrm{mS}\)，模型为漏到源的 \(g_mv_{gs}\)，结果/模型各 5 分。（c）同电流 BJT 为 \(I_C/V_T=40\ \mathrm{mS}\)；MOS 栅 DC 电流近零但有电容，BJT 基极需电流且输入电阻有限。数值比较 4、两端口边界各 2 分。
口述（4 分）： Q 点、局部导数/参数、工作区前提、输入幅度边界各 1 分。
电路（4 分）： BJT \(g_m=40\ \mathrm{mS}\)、MOS \(g_m=10\ \mathrm{mS}\) 各 1 分；受控源方向 1 分；BJT 基极有限输入、MOS 栅 DC 近开路的差别 1 分。
改变条件（2 分）： \(g_m\) 参数式不会仅因电源降低而自动改变 1 分；但 Q 点可能进入 BJT 饱和或 MOS 三极管区，必须重验区域 1 分。
评分与补救（5 分钟）： 80–100 分进入放大器；60–79 分按“判区→Q 点→参数→模型”顺序修复首个断点；低于 60 分把 Day 15 改为器件补课，不允许直接背增益式。波形未标阈值、区域未验不等式、参数无单位，各对应题最高得一半分。
复习登记（3 分钟）： D+1（Day 15）重做最低分区域判断；D+3（Day 17）换一组偏置求 Q 点和 \(g_m\)；D+7（Day 21）在第三关卡先口述器件模型选择链。
第二周关卡出口¶
合格证据是：拿到端电压能判区，拿到偏置电路能求 Q 点，拿到 Q 点能画小信号模型。若某一步依赖背诵而说不出不等式或 KCL/KVL，把它记为下一周每天前 5 分钟的首项。